1、FQFP（fine pitch quad flat package）

小引腳中心距 QFP。通常指引腳中心距小于0．65mm 的 QFP（見 QFP）。部分半導體廠家采用此名稱。塑料四邊引出扁平封裝 PQFP（Plastic Quad Flat Package）PQFP 的封裝形式最為普遍。其芯片引腳之間距離很小，引腳很細，很多大規(guī)模或超大都采用這種封裝形式，引腳數(shù)量一般都在100個以上。Intel 系列 CPU 中80286、80386和某些486主板芯片采用這種封裝形式。 此種封裝形式的芯片必須采用 SMT 技術（表面安裝設備）將芯片與焊接起來。采用 SMT 技術安裝的芯片 不必在電路板上打孔，一般在電路板表面上有設計好的相應引腳的焊點。將芯片各腳對準相應的焊點，即可實現(xiàn)與主板的焊接。用這種方法焊上去的芯片，如果不用專用工具是很難拆卸下來的。SMT 技術也被廣泛的使用在芯 片焊接領域，此后很多高級的封裝技術都需要使用 SMT 焊接。

以下是一顆 AMD 的 QFP 封裝的286處理器芯片。0．5mm焊區(qū)中心距，208根 I／O 引腳，外形尺寸28×28mm， 芯片尺寸10×10mm，則芯片面積／封裝面積＝10×10／28×28＝1：7．8，由此可見 QFP 比 DIP 的封裝尺寸大大減小了。

PQFP 封裝的主板聲卡芯片

2、CPAC（globetop pad array carrier）

美國 Motorola 公司對 BGA 的別稱（見 BGA）。

3、CQFP 軍用晶片陶瓷平版封裝 （CeramicQuad Flat－pack Package）

右邊這顆晶片為一種軍用晶片封裝（CQFP），這是封裝還沒被放入晶體以前的樣子。這種封裝在軍用品以及航太工 業(yè)用晶片才有機會見到。晶片槽旁邊有厚厚的黃金隔層（有高起來，照片上不明顯）用來防止輻射及其他干擾。 外圍有螺絲孔可以將晶片牢牢固定在主機板上。而最有趣的就是四周的鍍金針腳，這種設計可以大大減少晶片封裝的厚度並提供極佳的散熱。

4、H－（with heat sink）

表示帶散熱器的標記。例如，HSOP 表示帶散熱器的 SOP。

5、Pin Grid Array（Surface Mount Type）

表面貼裝型 PGA。通常 PGA 為插裝型封裝，引腳長約3．4mm。表面貼裝型 PGA 在封裝的 底面有陳列狀的引腳，其長度從1．5mm 到2．0mm。貼裝采用與印刷PCB基板碰焊的方法，因而也稱 為碰焊 PGA。因為引腳中心距只有1．27mm，比插裝型 PGA 小一半，所以封裝本體可制作得不 怎么大，而引腳數(shù)比插裝型多（250～528），是大規(guī)模邏輯 LSI用的封裝。封裝的基材有多層陶瓷基板和玻璃環(huán)氧樹脂印刷基數(shù)。以多層陶瓷基材制作封裝已經(jīng)實用化。

6、JLCC 封裝（J－leaded chip carrier）

J 形引腳芯片載體。指帶窗口 CLCC 和帶窗口的陶瓷 QFJ 的別稱（見 CLCC 和 QFJ）。部分半導體廠家 采用的名稱。

7、LCC 封裝（Leadless chip carrier）

無引腳芯片載體。指陶瓷基板的四個側面只有電極接觸而無引腳的表面貼裝型封裝。是高速和高頻 IC 用 封裝，也稱為陶瓷 QFN 或QFN－C（見 QFN）。

8、LGA 封裝（land grid array）

觸點陳列封裝。即在底面制作有陣列狀態(tài)坦電極觸點的封裝。裝配時插入插座即可。現(xiàn)已實用的有227 觸 點（1．27mm 中心距）和447 觸點（2．54mm 中心距）的陶瓷 LGA，應用于高速邏輯 LSI 電路。

LGA 與 QFP 相比，能夠以比較小的封裝容納更多的輸入輸出引腳。另外，由于引線的阻抗小，對于高速 LSI 是很適用的。但由于插座制作復雜，成本高，現(xiàn)在基本上不怎么使用。預計今后對其需求會有所增加。

AMD 的2．66GHz 雙核心的 Opteron F 的 Santa Rosa 平臺 26、LOC 封裝（lead onchip）

9、芯片上引線封裝

LSI 封裝技術之一，引線框架的前端處于芯片上方的一種結構，芯片的中心附近制作 有凸焊點，用引線縫合進行電氣連接。與原來把引線框架布置在芯片側面附近的結構相比，在相同大小的封裝中容納的芯片達1mm 左右寬度。

10、LQFP 封裝（low profile quadflat package）

薄型 QFP。指封裝本體厚度為1．4mm 的 QFP，是日本電子機械工業(yè)會根據(jù)制定的新 QFP外形規(guī)格所用的名稱。

11、L－QUAD封裝

陶瓷 QFP 之一。IC封裝基板用氮化鋁，基導熱率比氧化鋁高7～8 倍，具有較好的散熱性。 封裝的框架用氧化鋁，芯片用灌封法密封，從而抑制了成本。是為邏輯 LSI 開發(fā)的一種封裝，在自然空冷條件下可容許 W3的功率。現(xiàn)已開發(fā)出了208 引腳（0．5mm 中心距）和160 引腳（0．65mm 中心距）的 LSI 邏輯用封裝，并于1993 年10月開始投入批量生產。

12、MCM封裝

多芯片組件。將多塊半導體裸芯片組裝在一塊布線基板上的一種封裝。

根據(jù)基板材料可分為MCM－L，MCM－C 和MCM－D 三大類。

MCM－L 是使用通常的玻璃環(huán)氧樹脂多層印刷基板的組件。布線密度不怎么高，成本較低。

MCM－C 是用厚膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或玻璃陶瓷）作為基板的組件，與使用多層陶瓷基板的厚膜混合IC 類似。兩者無明顯差別。布線密度高于MCM－L。

MCM－D 是用薄膜技術形成多層布線，以陶瓷（氧化鋁或氮化鋁）或Si、Al 作為基板的組件。布線密謀在三種組件中是最高的，但成本也高。

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