種 類

按資料來分

1. 氧化鋁線路板

氧化鋁基板是電子輕工業中最罕用的基板資料，由于正在機器、熱、電功能上絕對于于大少數其余氧化物陶瓷，強度及化學穩固性高，且原料藥起源豐盛，實用于各族各樣的技能打造以及沒有同的外形。斯利通氧化鐵基板曾經能夠停止三維定制。

2. 氧化鈹線路板

存正在比非金屬鋁還高的熱導率，使用于需求高燒導的場所，但量度超越300℃后疾速升高，最主要的是因為其毒性制約了本身的停滯。

氧化鈹陶瓷是以氧化鈹為次要因素的陶瓷。次要用作大范圍集成通路基板，大功率氣體激光管，結晶體管的散熱片殼子，微波輸入窗和中子加速劑等資料。

純氧化鈹(BeO)屬立方晶系，其密度3.03g/cm3。熔點2570℃，存正在很高的導電性，簡直與紅銅純鋁相同，導電系數λ為200-250W/(m.K)，再有很好的抗稅震性。其介電常數6～7（0.1MHz)。介質消耗角正切值約為4×10-4(0.1GHz)。最大缺欠是粉末有劇毒性，且使接觸外傷難于愈合。以氧化鈹粉末為原料藥退出氧化鐵等配料經低溫燒結而成。打造這種陶瓷需求優良的防護措施。氧化鈹正在含有水氣的低溫介質中，蒸發性會進步，1000℃開端蒸發，并隨量度降低蒸發量增大，這就給消費帶來艱難，有些國度已沒有消費。但制品功能優異，雖價錢較高，仍有相等大的需要量。

3. 氮化鋁線路板

AlN有兩個無比主要的功能不值留意：一度是高的熱導率，一度是與Si相婚配的收縮系數。缺欠是即便正在名義有無比薄的氧化層也會對于熱導率發生反應，只要對于資料和工藝停止嚴厲掌握能力打造出分歧性較好的AlN基板。AlN消費技能國際像斯利通那樣能大范圍消費的少之又少，絕對于于Al2O3，AlN價錢絕對于偏偏高許多，某個也是限制其停滯的小瓶頸。沒有過隨著經濟的晉升，技能的晉級，這種瓶頸終會失蹤。
分析之上緣由，能夠曉得，氧化鐵陶瓷因為比擬優惠的分析功能，正在微電子、功率電子、混合微電子、功率模塊等畛域還是在于主導位置而被少量使用。

AlN最高可穩固到2200℃。室溫強度高，且強度隨量度的降低降落較慢。導電性好，熱收縮系數小，是優良的耐熱沖鋒陷陣資料?？谷刍墙饘俑g的威力強，是鑄造純鐵、鋁或者鋁合金現實的坩堝資料。氮化鋁還是電非導體，介電功能優良，用作電料部件也很有指望。砷化鎵名義的氮化鋁絕緣層，能掩護它正在退火時免受離子的注入。氮化鋁還是由六方氮化硼改變為立方氮化硼的催化劑。室溫下與水湍急反響.可由鋁粉正在氨或者氮氛圍中800~1000℃分解，產物為紅色到灰藍色粉末?；蛘哂葾l2O3-C-N2系統正在1600~1750℃反響分解，產物為灰紅色粉末。或者氯化鋁與氨經氣相同應制得.絕緣層可由AlCl3-NH3系統經過氣相堆積法分解  。

4. 氮化硅線路板

羅杰斯公司于2012年推出了新款 curamik?系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板。因為氮化硅的機器強度比其它陶瓷高，因為新款curamik? 基板可以協助設想者正在嚴苛的任務條件以及 HEV/EV 和其它可再活潑力使用環境下完成至關主要的短命命。

采納氮化硅釀成的新款陶瓷基板的撓曲強度比采納 Al2O3和 AlN 釀成的基板高。
Si3N4的折斷韌性以至超越了氧化鋯摻雜陶瓷。

時至昔日，功率模塊內運用的覆銅陶瓷基板的牢靠性沒有斷受制于陶瓷較低的撓曲強度，然后者會升高熱重復威力。關于那些整合了極其熱和機器應力的使用（相似混合能源公共汽車和自動公共汽車 (HEV/EV) 而言，眼前罕用的陶瓷基板沒有是最佳取舍?；澹ㄌ沾桑┖统瑢w（銅）的熱收縮系數具有很大差別，會正在熱重復時期對于鍵合區發生壓力，進而升高牢靠性。正在往年的 PCIM 展上羅杰斯公司推出的該款 curamik? 系列氮化硅 (Si3N4) 陶瓷基板，將使風力電子模塊的壽數延伸10倍之多。
隨著 HEV/EV 和可再活潑力使用的增加，設想者找出了新辦法來確保該署推進極具應戰性的新技能停滯所需的電子部件的牢靠性。因為任務壽數比風力電子運用的其它陶瓷長10倍或者許更高，因為氮化硅基板可以需要關于到達多余的牢靠性請求至關主要的機器強度。陶瓷基板的壽數是由正在沒有涌現剝離和其它反應通路性能與保險的毛病的狀況下，基板能夠接受的熱重復反復位數來權衡的。該測試一般是經過從 -55°C 到 125°C 或者許 150°C 對于樣品停止重復運轉來實現的。

curamik  貨物市面經營 Manfred Goetz 說：“咱們眼前的測試后果（-55°C至150°C）標明，curamik? 氮化硅基板的運用壽數比公共汽車市面，尤其是 HEV/EV，一般運用的基板長十倍之上。異樣運用氮化硅基板也令整個模塊的壽數大大晉升?！?br style="margin: 0px; padding: 0px; -ms-word-wrap: break-word !important; max-width: 100%; box-sizing: border-box !important; overflow-wrap: break-word;"/>運用壽數的延伸關于一切將重型半超導體晶片間接鍵合到基板上的功率模塊使用而言都至關主要，況且對于結溫較高（高達250°C）的 SiC 和 GaN 晶片尤為主要。curamik? 氮化硅基板的熱導率為 90 W/mK，超越了市場上其它基板的均勻值。
新款基板的機器強度使咱們可以應用更薄的陶瓷層，從而升高了熱阻，進步了功率密度，增添了零碎利潤。
與Al2O3 和 AlN 基板相比，其撓曲強度好轉了很多, 設想師們將因而而受害。氮化硅的折斷韌性以至超越了氧化鋯摻雜陶瓷，正在 90 W/mK 的熱導率下到達了6.5~7 MPa/√m。

 按打造工藝來分

現階段較廣泛的陶瓷散熱基板品種共有HTCC、LTCC、DBC、DPC、LAM五種，內中LAM歸于斯利通與華中高科技大學國度光電試驗室競爭的專利技能，HTCC\LTCC都歸于燒結工藝，利潤都會較高。

而DBC與DPC則為國際近年來才開拓幼稚，且能量產化的業余技能，DBC是應用低溫加熱將Al2O3與Cu板聯合，其技能瓶頸正在于沒有易處理Al2O3與Cu板間微橋孔發生之成績，這使得該貨物的量產能量與良率遭到較大的應戰，而DPC技能則是應用間接鍍銅技能，將Cu堆積于Al2O3基板以上，其工藝聯合資料與地膜工藝技能，其貨物為近年最廣泛運用的陶瓷散熱基板。但是其資料掌握與工藝技能整合威力請求較高，這使得跨入DPC財物并能穩固消費的技能門坎絕對于較高。LAM技能別稱作激光快捷活化非金屬化技能。

1. HTCC (High-Temperature Co-fired Ceramic)

HTCC別稱為低溫共燒多層陶瓷，消費打造進程與LTCC極為類似，次要的差別點正在于HTCC的陶瓷粉末并無退出玻璃材料，因而，HTCC的必需再低溫1300~1600℃條件下枯燥軟化成生胚，接著異樣鉆上導通孔，以網版印刷技能填孔與印制路線，因其共燒量度較高，使得非金屬超導體資料的取舍受限，其次要的資料為熔點較高但異質性卻較差的鎢、鉬、錳…等非金屬，最初再疊層燒結成型。

2. LTCC (Low-Temperature Co-fired Ceramic)

LTCC 別稱為高溫共燒多層陶瓷基板，此技能須先將有機的氧化鐵粉與約30%~50%的玻璃資料加上無機黏結劑，使其混合勻稱變化泥狀的漿料，接著應用刮刀柄漿料刮成片狀，再經由一道枯燥進程將片狀漿料構成一片片薄薄的生胚，而后依各層的設想鉆導通孔，作為各層訊號的傳送，LTCC外部路線則使用網版印刷技能，辨別于生胚上做填孔及印制路線，里外柵極則可辨別運用銀、銅、金等非金屬，最初將各層做疊層舉措，擱置于850~900℃的燒結爐中燒結成型，即可實現。

3. DBC (Direct Bonded Copper)

間接敷銅技能是應用銅的含氧共晶液間接將銅敷接正在陶瓷上，其根本原理就是敷接進程前或者進程中正在銅與陶瓷之間引入過量的氧元素，正在1065℃~1083℃范疇內，銅與氧構成Cu-O共晶液， DBC技能應用該共晶液一范圍與陶瓷基板發作化學反響生成 CuAlO2或者CuAl2O4相，另一范圍浸濕銅箔完成陶瓷基板與銅板的聯合。