1、薄膜電路工藝

通過磁控濺射、圖案化光刻、干濕法蝕刻、電鍍?cè)龊竦裙に嚕?a href="http://www.4zj9t.cn/rfpcb.html" target="_blank">陶瓷基板上制作出超細(xì)線條線路路圖形。

在薄膜工藝中，在薄膜電路工藝的基礎(chǔ)上，通過磁控濺射對(duì)陶瓷表面進(jìn)行金屬化處理，通過電鍍使銅層和金層的厚度大于10微米以上。即DPC（Direct Plate Copper）。

2、厚膜電路工藝

（1）. 高溫共燒陶瓷——HTCC（High-Temperature Co-fired Ceramic）

（2）. 低溫共燒陶瓷——LTCC（Low-Temperature Co-fired Ceramic）

（3）. 直接鍵合銅——DBC（Direct Bonded Copper）

陶瓷基板制造工藝中的相關(guān)技術(shù)：

（1）鉆孔：利用機(jī)械鉆孔在金屬層之間產(chǎn)生連通。

（2）鍍通孔：連接層間的銅電路鉆孔完成后，層間的電路未導(dǎo)電。因此，必須在孔壁上形成導(dǎo)通層借以連接電路。這個(gè)過程在業(yè)界一般稱為“PTH”，主要工序包括除渣、化學(xué)鍍銅和電鍍銅三個(gè)工序。

3、干膜壓合：制作感光性蝕刻的阻抗層。

4、內(nèi)電路圖像轉(zhuǎn)移：利用曝光將膠片的圖像轉(zhuǎn)移到板面。

5、外層電路的曝光：貼好感光膜后，電路板就按照類似內(nèi)層電路的生產(chǎn)流程再次曝光顯影。這次感光膜的主要作用是為了定義出需要電鍍的區(qū)域和不需要電鍍的區(qū)域，我們覆蓋的區(qū)域就是不需要電鍍的區(qū)域。

6、磁控濺射：利用氣體輝光放電過程中產(chǎn)生的正離子與靶材料的表面原子之間的能量和動(dòng)量交換，使物質(zhì)從源材料移向襯底，實(shí)現(xiàn)薄膜的沉積。

7、蝕刻——外部電路的形成：利用化學(xué)反應(yīng)或物理沖擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻的功能性體現(xiàn)在特定圖形，選擇性的移除。

線路電鍍完成后，電路板將送去剝膜、蝕刻、剝錫線。主要工作是將電鍍阻劑完全剝離，將待蝕刻的銅暴露在蝕刻液中。由于電路區(qū)的頂部已經(jīng)被錫保護(hù)，所以使用堿性蝕刻液來蝕刻銅，但由于電路已經(jīng)被錫保護(hù)，電路區(qū)的電路可以保留，從而使表面電路整體電路板出現(xiàn)。

8、防焊漆涂層：陶瓷線路板的目的是承載電子零件，達(dá)到連接的目的。因此電路板線路完成后，必須界定電子零件組裝的區(qū)域，非組裝區(qū)域應(yīng)適當(dāng)用高分子材料保護(hù)。由于電子零件的組裝和連接都用焊錫，因此這種對(duì)電路板起到部分保護(hù)作用的高分子材料被稱為“防焊漆”。目前大多數(shù)感光型阻焊劑使用濕式油墨涂布形式。

3、LAM技術(shù)工藝

1、金屬層與陶瓷結(jié)合強(qiáng)度高，導(dǎo)電性好，可多次焊接。金屬層厚度可在1μm-1mm范圍內(nèi)調(diào)整。最大L/S分辨率可達(dá)10μm。直接實(shí)現(xiàn)via連接很方便 。

2、LAM技術(shù)優(yōu)勢(shì)：

(1)更高的導(dǎo)熱系數(shù)：傳統(tǒng)鋁基板MCPCB的導(dǎo)熱系數(shù)為1～2W/mk，銅本身的導(dǎo)熱系數(shù)為383.8W/mK，但絕緣層的導(dǎo)熱系數(shù)僅為1.0W/mK左右 ，更好的可以達(dá)到 1.8W/mK。氧化鋁陶瓷導(dǎo)熱系數(shù)：20～35 W/mk，氮化鋁陶瓷導(dǎo)熱系數(shù)：170～230 W/mk，銅基板導(dǎo)熱系數(shù)為2W/(m*K)，其熱膨脹系數(shù)與常用的LED芯片相匹配，可以把大型的Si基芯片直接在銅導(dǎo)體電路上進(jìn)行板載，省去了傳統(tǒng)模塊中鉬片等過渡層；

(2)更牢、更低電阻的金屬膜層：產(chǎn)品上金屬層與陶瓷基板的結(jié)合強(qiáng)度高，最高可達(dá)45MPa（大于1mm厚陶瓷片自身強(qiáng)度）；金屬層具有良好的導(dǎo)電性，例如，所得銅的體積電阻率小于2.5×10-6Ω.cm，電流通過時(shí)發(fā)熱小；

(3)基板的可焊性好，使用溫度高：耐焊接，可多次反復(fù)焊接；

(4)絕緣性好：耐擊穿電壓高達(dá)20KV/mm；

(5)導(dǎo)電層厚度在1μm~1mm內(nèi)任意定制：可根據(jù)電路模塊設(shè)計(jì)任意電流。銅層越厚，可以通過的電流就越大。傳統(tǒng)的DBC技術(shù)只能生產(chǎn)100μm到600μm厚度的導(dǎo)電層；傳統(tǒng)DBC工藝做<100μm時(shí)，生產(chǎn)溫度過高會(huì)熔化，做<600μm銅層過厚時(shí)，銅會(huì)流下去導(dǎo)致產(chǎn)品邊緣變得模糊。我們的銅箔是覆蓋的，所以厚度可以在1μm～1mm范圍內(nèi)定制，精度非常準(zhǔn)確。

(6)高頻損耗小，可設(shè)計(jì)組裝高頻電路板；介電常數(shù)小，

(7)可實(shí)現(xiàn)高密度組裝，線/間距(L/S)分辨率可達(dá)20μm，實(shí)現(xiàn)設(shè)備短、小、輕、薄；

(8) 不含有機(jī)成分，抗宇宙射線，航空航天方面可靠性高，使用壽命長(zhǎng)；

(9)銅層不含氧化層，可在還原性氣氛中長(zhǎng)期使用；

(10) 三維基板和三維布線