本文深入介紹了高頻線路板傳輸線的損耗。我們將討論導體損耗、信號走線電阻、介電損耗、介電損耗角正切/耗散因數和總插入損耗。在我們之前的PCB傳輸線系列中,我們為您提供了傳輸線的特征阻抗:
其中:
R = 每單位長度的線路導體電阻 (pul)
L = 線路導體的電感線圈 pul
G = 信號和返回路徑之間的電導(由于介電材料) pul
C = 信號和返回路徑之間的電容 pul(它隨著電介質的 Dk 而增加)
對于均勻傳輸線,R、L、G、C 在其上的每一點都是相同的,因此Zc傳輸線上的每一點都具有相同的值。
對于頻率進行的正弦信號在線的方向上,每個點和時間的電壓和電流表達式都由下式給出:
其中 α 和 β 的實部和虛部,由下式給出:
在我們感興趣的頻率上,R <<ωL 和 G <<ωC,所以:
所以:
這意味著波長以每單位長度傳播延遲,傳播,并在沿線傳播時衰減。
長度為 l 的傳輸線的信號衰減系數為:
衰減或信號損耗因子通常以 dB 表示。
這樣,dB 損耗與線路長度成正比。因此,我們可以將上述單位長度的dB損耗表示為:
我們通常省略減號,記住它是一個 dB 損失——總是從信號強度中減去 dB。
以上也稱為傳輸線單位長度的總插入損耗,寫為:
現在 R/Z0 分量的損耗與 R 成正比,單位長度的電阻稱為導體損耗,這是由于構成傳輸線的導體的電阻。它由'alfa'C代表。 GZ0的損耗與G-介電材料的電導成正比,稱為介電損耗-用'alfa'd表示。
導體損耗
其中 R 是每英寸導體的電阻。
現在PCB線路板傳輸線中有兩條線——信號走線和返回路徑。
通常返回路徑是平坦的,但返回電流在平坦表面上分布不均勻——我們可以證明大部分電流集中在三倍寬度的條帶上。
信號走線電阻
信號走線的整個截面積是否平均參與信號電流?答案是:情況并非總是如此——這取決于信號的頻率。
在非常低的頻率下——直到 大約1 MHz,我們可以假設整個導體都參與到信號電流中,因此 Rsigis 與信號走線的'alfa'C 電阻,即:
其中:
ρ = 銅電阻,以歐姆-英寸為單位
W = 以英寸為單位的走線寬度(例如:5 密耳,即 0.005 英寸 50 歐姆走線)
T = 以英寸為單位的走線厚度(通常為 ? 盎司至 10 盎司,即 0.0007" 至 0.0014")
例如,對于 5 密耳寬的走線:
出于我們的目的,我們對頻率 f 下的 A/C 電阻感興趣。在這里,皮膚效果進入了畫面。根據趨膚效應,頻率為 f 的電流只傳播到一定深度,稱為導體趨膚深度,即:
下表顯示了不同頻率下的趨膚深度值:
我們從上面看到,在 4 MH 時,趨膚深度等于 1 盎司銅厚,而在 15 MHz 時,它等于 ? 盎司銅厚。在 15 MHz 以上,信號電流僅在深度小于 0.7 mil 時傳播,并且隨著頻率的增加而繼續減小。
由于我們專注于高頻行為,我們可以安全地假設 T 大于我們感興趣的頻率處的趨膚深度,因此我們將在信號電阻公式中使用趨膚深度而不是 T。
我們使用 2δ 而不是 δ,因為電流使用了導體的所有外圍——技術上 2W 可以用 2 (W + T) 代替。
返回信號僅沿最靠近信號軌道的表面沿厚度 δ 傳播,
由于導體-電介質界面上的銅表面粗糙度導致導體損耗增加,
要知道,在電路板中,“銅導體-電介質界面”從來都不是光滑的(如果是光滑的,銅導體很容易從電介質表面剝離);它被粗糙化成齒狀結構,以增加電路板上導體的剝離強度。
對于典型的覆銅板,PCB傳輸線損耗如何
其中:
hz = 牙齒的峰值高度
hz 是表面粗糙度的量度。
通常,Hz 從一種箔片類型到另一種箔片類型不同。典型 v價值是:
如果粗糙度 hz 小于趨膚深度(在非常高的頻率下就是這種情況),這將導致額外的導體損耗。我們通過使用不同頻率的不同箔制作測試電路板,通過實驗觀察到這種增加。
我們發現 VLF 箔的損耗低于普通 HTE 箔的損耗。
對于頻率大于 1 GHz 的射頻/微波電路板,這些由于粗糙度導致的導體損耗在長信號線上會變得明顯。
低頻,還是:
對 R 使用上述等式中較高的一個。
在高頻率下:
如果 f 是 GHz,W 和 T 是密耳,我們得到:
讓我們將其計算為 5 密耳、1 盎司、50 歐姆和 4 密耳、0.5 盎司和 50 歐姆的電線:
需要注意的重要一點是,當頻率大于 50 MHz 時,導體損耗與頻率的平方根成正比:
預測由銅粗糙度引起的額外損耗并不容易——沒有簡單的公式。
介電損耗
如前所述,這是傳輸線中每單位長度的介電損耗 dB,
其中:
G = 介電材料的電導率
Z0 = 傳輸線阻抗約為√L/C
PCB介電材料的兩大特點:
1. 介電常數-Dk 或 Er- 也稱為相對介電常數。
2. 損耗因數-Df-也稱為tanδ。
PCB材料制造商公布Er和Df的值。
現在我們將找出 G 和 Er、Df 之間的關系。
介電損耗角正切/耗散因數
我們可以將兩個導體之間的介電層建模為電導 G 和并聯電容 C:
該導體上的交流電壓和頻率電流為:
IG 是通過 G 的電流,IC 是通過電容器的電流。
tanδ 也稱為損耗因數 Df≡tanδ。
如果 σ 是介電材料的有效電導率,
通過實驗觀察,tanδ或Df隨頻率變化很小,可以認為是一個與所有實際目的無關的頻率值:
上式顯示了電導率 σ,因此電介質的電導率 G 隨頻率增加。這是您可以預期的頻率越高,電介質偶極子機械運動中的散熱越大,并且它們與電介質上的交變電場對齊。 (我們稱之為“阻尼振動偶極矩”。)
回想一下√LC 給出了傳輸線單位長度的傳播延遲-Pd -。
我們從上面看到介電損耗與頻率成正比。
為了了解它的尺寸,讓我們考慮PCB材料Isola 370HR和I-Speed和I-Meta:
總插入損耗
導體損耗-'alfa'C-和介電損耗的總和:'alfa'd。
我們衡量損失的價值。 (單獨測量導體和介電損耗并不容易。)
如果我們測量不同頻率下(例如從1 GHz到10 GHz)正弦信號的插入損耗
如果我們現在繪制'alfa'ins/√fvs√f,我們期望得到一個可以確定A1和A2的線性圖。