SiC陶瓷電路板 以其優異的熱性能和電氣性能以及承受高溫和惡劣環境的能力而聞名。它們用于高溫電子和電力電子

SC器件的新待性以及移動應用的功率密度要求對功率器件的封裝技術提出了新的挑戰。現有功率器件的封裝技術主要是在絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導體場效應晶體營

(MOSFET)的基礎上發展起來的，并且一直在不斷發展。然而，這些逐步改進還不足以充分發揮SiC器件的性能，因此封裝技術需要革命性的進步。SiC器件的本質特性決定了其具有

低內阻、耐高壓、高頻、高結溫等優異指標，在移動應用功率密度不斷提高的壓力下，SC器件對封裝技術提出了新的要求和挑戰。

現有封裝技術的核心可以概括為焊接和鍵合技術，我一般將其稱為連接或鍵合。對于電源模塊來說，與dierre直接相關的連接稱為芯片的近端連接，而其他連接一般稱為芯片的遠揣

連接。關于連接，大多數文獻將它們混合為 Atacth、contact Conection或 Join、joining等。有些人還使用 Bondng來指代所有連接(組合)。焊接用于芯片底部與基板之間的芯片陽

著，或用于基板與散熱基板之間的系統連接，主要得接方法有傳統的SAC (SnaCuSoldemng)，近年來又發展了各種釬怪和擴勤悍，接合用于將蘇片頂部的引線連接到基板或從基板

連接到模塊框架、常用的材料有金、銀、銅、鋁等，形狀為線狀或條狀，采用超聲波或熱壓等方法。過去，功率芯片的表面金屬化材料通常為A1或A|樓雜少量S和C。通過與基材表面

(通常是銅)焊接形成的金屬間化合物形成芯片粘接層。基板兩側的金屬常為Cu，通過焊接與散熱基板連接。散熱基板的材質通常為鋁碳化硅(AISiC)或表面鍍鎳的銅。

這些連接器件的性能在早期的IGBT中可以滿足大多數應用的要求，但近年來它們越來越落后于半導體技術的發展。目前，功率器件封裝枝術的核心工藝已從鋁基轉向銅基，無論是前期

研究還是實際產品應用都取得了重大進展，除了基于現有技術的粘接和悍接連接類型外，銅燒結也取得了長足的進步。但就導電率導熱率，剪切力、熔點等指標而言，這些逐步改進還

不夠，所以近年來行業前沿研究大多轉向銀燒結。

SIC材料具有較高的導熱系數，是高溫電路板的理想選擇，如汽車電子、航空航天電子等領域。此外，S)℃C材料還具有耐高溫、低能耗等優點。但SIC材料的成本較高，硬度也較高，

加工難度較大。

即使在1400℃的高溫下，SiC也具有良好的強度、極高的導熱率和電阻、良好的半導體導電性以及高硬度。

SiC與金剛石相同，只是碳的比例不同。因此，SICPCB具有極高的熱阻。對于 SiCPCB，在 1000℃ 下工作很容易。這就是為什么它們可以用于激光領域。

SiC具有Si的特性，因此具有接近半導體的特性。換句話說，與其他陶瓷PCB不同，SiCPCB不具有高絕緣性能。

碳化硅PCB

基材類型:碳化硅(SiC)

基材厚度:0.1-2.0mm導電層:銅、鎳、金

金屬層厚度:35-400um

表面處理:金色

金屬:1L

線寬:0.25mm

應用:激光